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中国半导体产业发展瓶颈源于美国管制与韩国垄断

2019-03-24 08:11

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  根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出,中国一直企望发展半导体产业,但在近期受到韩国存储器大厂三星与SK海力士在市场垄断与持续技术精进下,加上美国对知识产权的严密保护,其目的将难以达成。

  报导指出,2018年10月份,在中国NAND Flash快闪存储器技术上领先的长江存储(YMTC)发布了自行研发的32层堆叠产品之后,当时就宣布将在2020年时跳过64层及96层堆叠的产品,直接发展128层堆叠的产品。由于韩国的存储器龙头厂三星,早在2014年就已经推出了32层堆叠的NAND Flash快闪存储器产品,所以在过去在技术上至少有5年的领先差距。

  只是,如果依照计划,长江存储一旦线层堆叠的产品,相较三星在2019年要量产96层堆叠的产品,并且预计在年底开发出128层堆叠的产品,则三星在NAND Flash快闪存储器技术上领先长江存储就仅剩下一年的时间,其追赶的进度令人惊讶。

  由于在NAND Flash快闪存储器技术发展,从32层堆叠到64层堆叠,再到96层堆叠,乃至于到目前最新的128层堆叠技术,其每一代的技术研发大概需要一年的时间。如此,长江存储虽然号称要在2020年推出128层堆叠的产品,但结果是在目前半导体市场低迷,再加上三星与SK海力士两家公司几乎垄断市场,长江存储连32层堆叠的NAND Flash快闪存储器大量量产都有问题的状况下,更遑论要开发最新128层堆叠技术的产品,因此中国要发展NAND Flash快闪存储器产业就此受阻。

  再谈到较NAND Flash快闪存储器技术更为复杂的DRAM产业时,虽然中国也一直视为重点发展产业,不过当前中国在这产业可说是一团混乱。原因是自2018年开始,原本积极布局服务器DRAM领域的厂商福建晋华,在受到美国禁售令的影响,目前已经逐步退出市场。尽管福建晋华在2011年就已经宣布推出32奈米制程的DRAM样品,只是在美国积极保护DRAM知识产权,而且祭出禁售令的情况之下,福建晋华是不是能够有机会推出这个规格的产品,目前还在未定之天。

  :也可能是因为没有挣到钱,才没法低调,要把水搅浑吧。 任正非也没有嚷着要“生死看淡,不服就干”,对人来说叫修养,对品牌来说叫内涵…



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